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      微晶晶振,2016贴片晶振,CC8V-T1A晶振

    • 产品型号:78181902
    • 频率:32.768KHZ
    • 尺寸:2.0*1.6mm
    • 产品介绍:此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率
    • RoHS RoHS2

      微晶晶振,2016贴片晶振,CC8V-T1A晶振,此款SMD晶体并且可以承受回流焊接的高温,波峰焊接,回流焊接等,贴片表晶主要特点是该产品排带包装,焊接模式主要使用SMT焊接,给现代SMT工艺带来高速的工作效率
      贴片晶振晶片边缘处理技术:贴片晶振是晶片通过滚筒倒边,主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应,在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理,有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除,而石英晶振晶片的谐振电阻过大,用在电路中Q值过小,从而电路不能振动或振动了不稳定
    微晶晶振规格 单位 CC8V-T1A晶振频率范围 石英晶振基本条件
    标准频率 f_nom 32.768KHZ 标准频率
    储存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
    工作温度 T_use -40°C ~ +85°C 标准温度
    激励功率 DL 200μW Max. 推荐:1μW ~ 100μW
    频率公差 f_— l ±50 × 10-6 (标准),
    (±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)
    +25°C 对于超出标准的规格说明,
    请联系我们以便获取相关的信息, http://www.ftklrm.cn
    频率温度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出标准的规格请联系我们.
    负载电容 CL 7pF ~ ∞ 超出标准说明,请联系我们.
    串联电阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
    频率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年


      如果由频率计数器测量的频率比目标频率高,要增加石英晶振的电容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低频率到目标频率,反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善,这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该晶振应正常后,谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率,我们可以通过以下三种方法改进:
    方法1:降低产品线路外部电容(Cd和CG)的值,并通过晶体具有较低负载电容(CL)。
    方法2:采用小电阻(RR)的晶体。
    方法3:使用镉和CG的不等价的设计。
      我们可以增加镉(XOUT)的负载电容和降低CG(辛)的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本,保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体,以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格,请采用晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率,反之亦然高得多系统不能正常工作,由于输出频率会偏差很大。

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