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更多>>晶振校准和校准公差示例
来源：http://www.ftklrm.cn 作者：康比电子 2019年01月22
串联和并联谐振
在串联谐振电路中工作的晶振将呈现电阻性,据说以串联谐振频率Fs工作.在串联谐振频率阻抗将接近零,负载电容将是无限的,晶体将以低于并联或负载谐振的频率工作.
在并联或负载谐振时,晶体将在电路中呈现电感,并且阻抗将在并联谐振频率处达到其峰值.电路电抗值的变化将"拉动"晶体的频率.必须指定负载或并联电容,即在晶体端子上测量的总电路的动态电容.在并联电路设计中,应选择负载电容以在Fs至F1电抗曲线上的稳定点处操作晶体.当负载电容与石英晶振单元串联时,不同的频率结果称为负载或并联谐振频率.如果相同的电容值与晶体单元并联连接,则会出现相同的频率.实际上,总负载电容是杂散电容和负载电容之和.由负载电容引起的频率变化称为DELTAF.
校准和校准公差
晶振单元的校准是将振动频率调整到规范所规定的设计频率.校准,有时称为Set-On,通过从电极添加或去除金属从石英板添加或去除质量来实现.增加质量将降低频率并且去除质量将提高频率,并且存在自动和手动制造过程以进行调整.
对于大多数ATCut晶体,指定校准并在25度下执行.C或室温(拐点处或附近).对于设计用于OCXO晶振应用的晶体,校准在烘箱的工作温度下进行,该温度设定为上反转点的温度.
校准贴片晶振的频率涉及公差.就像要求十个木匠将一块木头切成6英寸长,结果就是十块木头,长度在一个标称的六英寸范围内.有些会有点长,有些会比6英寸短,但都接近6英寸.所需精度(校准规格)的水平将包括公差,例如6英寸+/-1/16英寸.在晶体的情况下,校准规范将包括设计频率和以32.768K,百分比或PPM表示的容差.表示相同频率和容差的示例将是：
10MHz.+/-100Hz.@25度C
10MHz.+/-.001％@25度C
10MHz.+/-10PPM@25度C
随着指定精度的增加,校准过程变得更加困难,产量降低.严格的精度规格是成本/价格驱动因素.精度的例子如下：
非常高的精度:+/-2PPM@25度.C*
HIGHPRECISION:+/-5PPM@25度C*
精度:+/-10PPM@25度C*
SEMI-PRECISION:+/-20PPM@25度.C
低精度:+/-30PPM@30度C
NON-PRECISION:+/-100PPM@25°.C
*由于DeltaF与负载电容的非线性,
不建议校准精度=/<10PPM.建议负载电容=/>20pF
在串联谐振电路中工作的晶振将呈现电阻性,据说以串联谐振频率Fs工作.在串联谐振频率阻抗将接近零,负载电容将是无限的,晶体将以低于并联或负载谐振的频率工作.
在并联或负载谐振时,晶体将在电路中呈现电感,并且阻抗将在并联谐振频率处达到其峰值.电路电抗值的变化将"拉动"晶体的频率.必须指定负载或并联电容,即在晶体端子上测量的总电路的动态电容.在并联电路设计中,应选择负载电容以在Fs至F1电抗曲线上的稳定点处操作晶体.当负载电容与石英晶振单元串联时,不同的频率结果称为负载或并联谐振频率.如果相同的电容值与晶体单元并联连接,则会出现相同的频率.实际上,总负载电容是杂散电容和负载电容之和.由负载电容引起的频率变化称为DELTAF.
晶振单元的校准是将振动频率调整到规范所规定的设计频率.校准,有时称为Set-On,通过从电极添加或去除金属从石英板添加或去除质量来实现.增加质量将降低频率并且去除质量将提高频率,并且存在自动和手动制造过程以进行调整.
对于大多数ATCut晶体,指定校准并在25度下执行.C或室温(拐点处或附近).对于设计用于OCXO晶振应用的晶体,校准在烘箱的工作温度下进行,该温度设定为上反转点的温度.
校准贴片晶振的频率涉及公差.就像要求十个木匠将一块木头切成6英寸长,结果就是十块木头,长度在一个标称的六英寸范围内.有些会有点长,有些会比6英寸短,但都接近6英寸.所需精度(校准规格)的水平将包括公差,例如6英寸+/-1/16英寸.在晶体的情况下,校准规范将包括设计频率和以32.768K,百分比或PPM表示的容差.表示相同频率和容差的示例将是：
10MHz.+/-100Hz.@25度C
10MHz.+/-.001％@25度C
10MHz.+/-10PPM@25度C
随着指定精度的增加,校准过程变得更加困难,产量降低.严格的精度规格是成本/价格驱动因素.精度的例子如下：
HIGHPRECISION:+/-5PPM@25度C*
精度:+/-10PPM@25度C*
SEMI-PRECISION:+/-20PPM@25度.C
低精度:+/-30PPM@30度C
NON-PRECISION:+/-100PPM@25°.C
*由于DeltaF与负载电容的非线性,
不建议校准精度=/<10PPM.建议负载电容=/>20pF
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